Samsung Electronics планирует увеличить более чем вдвое инвестиции в
полупроводниковые операции в Техасе - примерно до 44 млрд долларов, пишет газета
The Wall Street Journal со ссылкой на информированные источники.
Новые инвестиции будут сосредоточены в округе Тейлор, где Samsung
строит хаб для производства чипов, отмечают источники. В частности, по
их словам, компания планирует строительство новой площадки по выпуску
чипов, мощностей для корпусирования микросхем, а также центра
исследований и разработок (R&D), пишет Интерфакс-Казахстан.
Samsung является одним из трех производителей передовых логических интегральных схем, используемых в ИИ-решениях, в также в оборонном сегменте, наряду с Intel Corp. и Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. Операции этих компаний являются ключевыми для программы администрации президента США Джо Байдена по укреплению потенциала Штатов в области производства чипов, отмечает WSJ.
По словам источников, Samsung, вероятно, получит миллиарды долларов в виде субсидий в рамках закона Chips Act, предусматривающего поддержку производства полупроводниковых компонентов в США.
Инвестиции в первое предприятие Samsung в Тейлоре должны были составить 17 млрд долларов, однако за время реализации проекта расходы выросли, в связи с чем компании потребуются несколько миллиардов долларов дополнительных инвестиций, отмечают источники.
Новая производственная площадка, по их словам, может стоить более 20 млрд долларов. R&D-центр, как ожидается, будет находиться внутри производственных предприятий. Проект строительства мощностей для корпусирования микросхем может стоить около 4 млрд долларов. Компания, как ожидается, официально объявит об увеличении инвестиций 15 апреля.
Читайте также
Продажи таких авто в первом квартале текущего года выросли на 42%, сообщил автопроизводитель