Samsung Electronics планирует увеличить более чем вдвое инвестиции в
полупроводниковые операции в Техасе - примерно до 44 млрд долларов, пишет газета
The Wall Street Journal со ссылкой на информированные источники.
Новые инвестиции будут сосредоточены в округе Тейлор, где Samsung
строит хаб для производства чипов, отмечают источники. В частности, по
их словам, компания планирует строительство новой площадки по выпуску
чипов, мощностей для корпусирования микросхем, а также центра
исследований и разработок (R&D), пишет Интерфакс-Казахстан.
Samsung является одним из трех производителей передовых логических
интегральных схем, используемых в ИИ-решениях, в также в оборонном
сегменте, наряду с Intel Corp. и Taiwan Semiconductor
Manufacturing Company. Операции этих компаний являются
ключевыми для программы администрации президента США Джо Байдена по
укреплению потенциала Штатов в области производства чипов, отмечает WSJ.
По словам источников, Samsung, вероятно, получит миллиарды долларов в
виде субсидий в рамках закона Chips Act, предусматривающего поддержку
производства полупроводниковых компонентов в США.
Инвестиции в первое предприятие Samsung в Тейлоре должны были составить 17 млрд долларов, однако за время реализации проекта расходы выросли, в связи с
чем компании потребуются несколько миллиардов долларов дополнительных
инвестиций, отмечают источники.
Новая производственная площадка, по их словам, может стоить более 20
млрд долларов. R&D-центр, как ожидается, будет находиться внутри
производственных предприятий.
Проект строительства мощностей для корпусирования микросхем может стоить около 4 млрд долларов.
Компания, как ожидается, официально объявит об увеличении инвестиций 15 апреля.